Ads 468x60px

Πέμπτη 20 Οκτωβρίου 2011

iPhone 4S Teardown από το iFixit

Η Apple κυκλοφόρησε το iPhone 4S και μετά από μόνο λίγες ώρες το iFixit το είχε στα χέρια και άρχισε να αποκαλύπτει τι κρύβει μέσα αυτή η καινούρια συσκευή της Apple.

Ο λόγος φυσικά εδώ γίνεται για τον επεξεργαστή και αν όντως έχει 512MB μνήμη RAM. Σύμφωνα με το iFixit όμως υπάρχουν και άλλα πράγματα που κίνησαν το ενδιαφέρον.
UDhRdREOME3yvOyP

Η καινούρια μπαταρία με extra .05W/hrs αυξάνει την ώρα ομιλίας με μία ώρα παραπάνω αλλά για κάποιον λόγο και πολύ πιθανόν αυτός ο λόγος να είναι τα προγράμματα και οι υπηρεσίες που τρέχουν στο background μειώνει τον χρόνο του standby από 300 ώρες που ήταν στο iPhone 4, στις 200 ώρες.

Για ακόμα μία φορά η Apple μας δείχνει ότι δεν θέλει να ανοίγουμε τις συσκευές της χρησιμοποιώντας τις γνωστές βίδες Pentalobe.

Ο επεξεργαστής είναι στο 1GHz (όπως και του iPad 2) αλλά δουλεύει πιο κάτω για μεγαλύτερη ζωή μπαταρίας. Δυστυχώς όμως αυτό δεν σημαίνει ότι στο μέλλον κάποιο hack μπορεί να ανεβάσει τον επεξεργαστή ώστε να δουλεύει όπως αυτός του iPad 2. Πάνω στην logic board του iPhone 4S μπορούμε ακόμα να βρούμε ομοιότητες με αυτής του CDMA iPhone 4. Η μνήμη του επεξεργαστή είναι στα 512MB πράγμα που πολλοί δεν περιμέναμε. Ίσως όμως οι δοκιμές της Apple με το iPad 2 και το iPhone 4S να έδειξαν ότι ακόμα δεν χρειάζεται περισσότερη μνήμη επεξεργαστή και μπορείτε να το καταλάβετε και μόνοι σας μετά από λίγα λεπτά χρήσης ότι είναι πολύ πιο γρήγορο από το iPhone 4 αλλά όχι τόσο από το iPad 2.

Το chip της Qualcomm είναι αναβαθμισμένο από το MDM6600 στο MDM6610. Ακόμα δεν υπάρχουν περισσότερες πληροφορίες για τις ικανότητες του MDM6610 αλλά θα σας ενημερώσουμε όταν δημοσιευτεί κάτι σχετικό.

Η AnandTech αναφέρει επίσης:
The second confirmation iFixit’s teardown gives us is the size of the A5′s on-package memory: 512MB. A quick look at the image above yields the Samsung part number: K3PE4E400B-XGC1. Each highlighted E4 refers to a separate 2Gb LPDDR2 die. The A5 features a dual-channel LPDDR2 memory interface, thus requiring two 32-bit die to fully populate both channels. The final two characters in the part number (C1) refer to the DRAM’s clock period, in this case 2.5ns which indicates a 400MHz clock frequency (F=1/T). My assumption here is Samsung’s part number is actually referring to clock frequency and not data rate, implying there are a pair of LPDDR2-800 die in the PoP stack. It’s not entirely uncommon to run memory at speeds lower than they are rated for, a practice we’ve seen in graphics memory in particular for as long as I can remember, so I wouldn’t take this as proof that Apple is running at full LPDDR2-800 speeds.

Source:http://www.greek-iphone.com/20111020/iphone-4s-teardown-from-ifixit/

0 σχόλια:

Δημοσίευση σχολίου

Related Posts Plugin for WordPress, Blogger...